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Nombre: | NXP Transistor, Nanjing NXP, Yao Kun Tecnología |
publicado: | 2014-12-31 |
validez: | 0 |
Especificaciones: | Limitado |
cantidad: | |
Descripción Precio: | |
Detailed Product Description: | Tokio - Toshiba Corporation anunció hoy el lanzamiento de "TC35670FTG", que es un apoyo a la baja potencia de comunicaciones de baja potencia (LE) Bluetooth y comunicación de campo cercano doble función de las etiquetas CI (CI) (NFC) Type3 (Bluetooth?). Ejemplo de envío se inicia inmediatamente. Un número creciente de inteligente Bluetooth [2] proporciona un bajo consumo de energía dispositivos Bluetooth compatibilidad. Nuevo IC de Toshiba son de baja potencia de la serie Bluetooth IC, y ofrece dos características clave: Etiquetas Bluetooth y NFC cuentan con la facilidad de emparejamiento, los dispositivos que funcionan con pilas de botón de larga espera. El IC promoverá la popularidad de la tecnología de las comunicaciones Bluetooth de bajo consumo en dispositivos peque?os, como los dispositivos de salud portátiles, sensores, juguetes NXP diodo, y el toque más llamativo para comenzar accesorios de teléfonos inteligentes próximos. Anteriormente, los fabricantes de equipos para el dise?o es compatible con Bluetooth y NFC tag dos sistemas de comunicación deben ser separado integrados IC para las etiquetas de Bluetooth y NFC. El nuevo enfoque de Toshiba ofrece un dise?o que ayuda a minimizar el número de componentes, reducir el 30% de la zona de montaje, NXP, y acortar el tiempo de desarrollo. NFC tiene un componente de etiqueta para el almacenamiento de 1,5 kb E2PROM de datos, los fabricantes de dispositivos pueden usar Bluetooth de baja potencia y etiquetas NFC de acceso, para conectar cada interfaz I2C, de modo que cada sistema puede manejar fácilmente los datos. Circuito integrado (IC) de descarga electrostática (ESD) robustez se distingue por una variedad de pruebas. El tipo más común de la prueba es el modelo del cuerpo humano (HBM) y el modelo de dispositivo de carga (MDL). Estos dos tipos de pruebas dise?adas para revelar contienen EDS básico ESD ambiente de fabricación controlada, el circuito subsistiendo bajo qué circunstancias estrés ESD. HBM es las aplicaciones más antiguas NXP ESD transistores de prueba, pero los expertos en control de ESD fábrica en general creen que en las operaciones de montaje muy automatizadas modernas, pruebas MDL ESD es más importante. Magnitud del estrés CDM variará con el tama?o del dispositivo. Acerca de la "sabiduría convencional" del MDL es más el tama?o de una peque?a sierra sin necesidad de probar los circuitos integrados, porque el pico de corriente es rápida. NXP Transistor, tecnología de Nanjing NXP 耀坤 proporcionada por Nanjing 耀坤 Technology Limited. Nanjing 耀坤 Ltd. (www.njykkj.com) fuerte, creíble, en Nanjing, Jiangsu industria diodo ha acumulado un gran número de clientes leales. La mejor compa?ía de actitud hacia el trabajo y la mejora constante de ideas innovadoras conducirán Yaokun en la brillante tecnología y trabajar por un futuro mejor! |
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derechos de autor © GuangDong ICP No. 10089450, Nanjing Yaokun Ltd. Todos los Derechos Reservados.
apoyo técnico: Shenzhen Allways tecnología desarrollo Co., Ltd.
AllSources red'sDescargo de responsabilidad: La legitimidad de la información de la empresa no asume ninguna responsabilidad de garantía
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