IC y llevar lejos de la fuente de tensión de impulso debe establecerse lo más lejos de la ubicación de los circuitos integrados de impulsos de alta tensión, dispositivos de alta frecuencia. Los circuitos integrados y que conectan los hilos conductores asociados tan cortos como sea posible, en la inevitable a largo plazo a unirse al circuito de protección contra sobretensiones, grabadoras especialmente automotrices instaladas deben prestar más atención. Cuando el cableado del circuito CMOS, componentes externos deben conectarse lo más cercano a la estaca, y se esfuerzan por llevar a la República Checa es corto, evitar el uso de cables largos en paralelo, o fácil de introducir unas grandes motores de capacitancia distribuida y Sanyo inductancia, fácil formar un oscilador LC. La solución consiste en capacitar a las personas en la resistencia de entrada 10k lado. Cuando los circuitos CMOS para alta velocidad, prestar atención a la estructura del circuito y el dise?o de PCB. Cable de salida es demasiado largo, con tendencia a fenómeno "anillo". Provocar una distorsión de forma de onda. Debido a pertenecer a la alta velocidad de circuitos integrados digitales ECL, es necesario considerar el "crosstalk" y otros problemas especiales existe en la línea de se?al "reflexión" y entre las líneas de se?al adyacentes, si es necesario el uso de líneas de transmisión (tales como cable coaxial), y para asegurar que la línea de transmisión de adaptación de impedancia. Además, la necesidad de adoptar algunas de blindaje, las medidas de aislamiento. Cuando la frecuencia de operación excede 200Mz cuando Sanyo, debe usar la tarjeta de circuitos de múltiples capas para reducir la impedancia de tierra. Muchos Parámetro MC33035DW2G FET FET, incluidos los parámetros de CC, los parámetros de comunicación y los parámetros de límite, pero por lo general se centran en los siguientes parámetros clave cuando se utiliza: (1), I DSS - corriente de drenaje-fuente saturado. Se refiere a la unión o el modo de agotamiento de puerta aislada transistor de efecto campo, la tensión de puerta T GS = 0 cuando una corriente de drenaje-fuente. (2), UP - voltaje de estrangulamiento. Se refiere a la unión o el agotamiento modo de aislamiento de puertas de campo transistor de efecto de Accesorios Sanyo, tensión drenaje-fuente de la puerta de al lado de la hora. (3), UT - a su vez-en tensión. Se refiere a la mejora de la puerta tubo de efecto de campo de modo aislado, de modo que la tensión de puerta entre el drenador-fuente acaba de encender el. (4), gM - transconductancia. Es una tensión puerta-fuente U GS - en la capacidad de controlar la corriente de drenador ID, es decir, la relación de la corriente de drenador ID y la cantidad de cambio en la cantidad de cambio de UGS voltaje de puerta-fuente. GM es un parámetro importante para medir la capacidad de amplificación FET. (5), BROTES - tensión de ruptura drenaje-fuente. Se refiere a la tensión de puerta-fuente UGS electrónica sanyo constante, trabajo FET puede soportar la máxima tensión de drenaje-fuente. Este es un argumento extremo, aplicado a la tensión de funcionamiento FET debe ser inferior a gustativas. (6), PDSM - disipación de potencia máxima. Es un argumento extrema se refiere al desempe?o FET no se deteriora la máxima disipación de potencia de drenaje-fuente permitida. Cuando se utiliza, el FET debe ser menor que el PDSM real el consumo de energía y dejar cierto margen. (7), IDSM - máxima corriente de drenaje-fuente. Es un parámetro límite se refiere a la FET está funcionando normalmente, la corriente de fuente-drenaje a través del máximo permitido. Corriente de funcionamiento FET no debe exceder IDSM. Especificaciones sanyo LM258P, Nanjing sanyo, tecnología 耀坤 proporcionada por Nanjing 耀坤 Technology Limited. Nanjing 耀坤 Ltd. (www.njykkj.com) fuerte, creíble, en Nanjing, Jiangsu industria diodo ha acumulado un gran número de clientes leales. La mejor compa?ía de actitud hacia el trabajo y la mejora constante de ideas innovadoras conducirán Yaokun en la brillante tecnología y trabajar por un futuro mejor!