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Nombre: | Jiangsu NXP, modelo NXP, Yao Kun Tecnología (Merchant Certificado) |
publicado: | 2015-01-10 |
validez: | 0 |
Especificaciones: | Limitado |
cantidad: | |
Descripción Precio: | |
Detailed Product Description: | Muchos módulo de parámetros NXP Parámetros FET FET, incluidos los parámetros de la CC, los parámetros de comunicación y los parámetros de límite, pero por lo general se centran en los siguientes parámetros clave cuando se utiliza: (1), I DSS - corriente de drenaje-fuente saturado. Se refiere a la unión o el modo de agotamiento de puerta aislada transistor de efecto campo, la tensión de puerta T GS = 0 cuando una corriente de drenaje-fuente. (2), UP - voltaje de estrangulamiento. Se refiere al modo de unión o el agotamiento de campo de puerta aislada transistor de efecto en la marca NXP, la tensión de puerta entre el drenador-fuente fuera justo cuando. (3), UT - a su vez-en tensión. Se refiere a la mejora de la puerta tubo de efecto de campo de modo aislado, de modo que la tensión de puerta entre el drenador-fuente acaba de encender el. (4), gM - transconductancia. Es una tensión puerta-fuente U GS - en la capacidad de controlar la corriente de drenador ID, es decir, la relación de la corriente de drenador ID y la cantidad de cambio en la cantidad de cambio de UGS voltaje de puerta-fuente. GM es un parámetro importante para medir la capacidad de amplificación FET. (5), BROTES - tensión de ruptura drenaje-fuente. Se refiere a la tensión de puerta-fuente UGS trabajo FET constante puede soportar la máxima tensión de drenaje-fuente. Este es un argumento extremo, aplicado a la tensión de funcionamiento FET debe ser inferior a gustativas. (6), PDSM - disipación de potencia máxima. Es un argumento extrema se refiere al desempe?o FET no se deteriora la máxima disipación de potencia de drenaje-fuente permitida. Cuando se utiliza el tipo NXP FET PDSM debe ser menor que el consumo de energía real y dejar cierto margen. (7), IDSM - máxima corriente de drenaje-fuente. Es un parámetro límite se refiere a la FET está funcionando normalmente, la corriente de fuente-drenaje a través del máximo permitido. Corriente de funcionamiento FET no debe exceder IDSM. LM258P IC elemento semiconductor es la definición de productos IC colectivamente. Incluye: 1 tablero de circuito integrado (integratedcircuit, abreviaturas: IC); 2. En segundo lugar, el transistor; 3 componentes electrónicos especiales ... Estos términos generales otra vez también involucra a todos los componentes electrónicos, tales como resistencias, condensadores, circuitos versión de la tarjeta / PCB, y muchos otros productos relacionados. Se refiere a todos los componentes electrónicos de los circuitos integrados, también conocidos como IC, es una colección de una variedad de componentes electrónicos para lograr una determinada módulos de circuito funcionales en la placa de silicio. Es un dispositivo electrónico es la parte más importante, son los responsables de las capacidades de computación y almacenamiento. Rango de aplicación IC cubre casi todas las fuerzas militares de equipos electrónicos, civil. Jiangsu NXP, modelos NXP, 耀坤 Tecnología (comerciantes certificados) proporcionados por Nanjing 耀坤 Technology Limited. Nanjing Yaokun Ltd. (www.njykkj888.com) está especializada en el "IC, FET, relés, módulo de alimentación" de la empresa, la compa?ía de "la honestidad, el servicio duro", concepto, para ofrecerle la más calidad productos y servicios. Bienvenido a preguntar! Póngase en contacto con: Yang. |
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derechos de autor © GuangDong ICP No. 10089450, Nanjing Yaokun Ltd. Todos los Derechos Reservados.
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