Parámetro FET FET muchos, incluidos los parámetros de la CC, los parámetros de comunicación y los parámetros de límite de Jiangsu IR optoacoplador, pero por lo general se centran en los siguientes parámetros clave cuando se utiliza: (1), I DSS - corriente de drenaje-fuente saturado. Se refiere a la unión o el modo de agotamiento de puerta aislada transistor de efecto campo, la tensión de puerta T GS = 0 cuando una corriente de drenaje-fuente. (2), UP - voltaje de estrangulamiento. Se refiere al modo de unión o el agotamiento de campo de puerta aislada transistor de efecto en el IR, el voltaje de puerta entre el drenador-fuente fuera justo cuando. (3), UT - a su vez-en tensión. Se refiere al elemento de Jiangsu IR mejora puerta tubo de efecto de campo de modo aislado, el voltaje de puerta entre el drenador-fuente de acaba de cumplir. (4), gM - transconductancia. Es una tensión puerta-fuente U GS - en la capacidad de controlar la corriente de drenador ID, es decir, la relación de la corriente de drenador ID y la cantidad de cambio en la cantidad de cambio de UGS voltaje de puerta-fuente. GM es un parámetro importante para medir la capacidad de amplificación FET. (5), BROTES - tensión de ruptura drenaje-fuente. Se refiere a la tensión de puerta-fuente UGS trabajo FET constante puede soportar la máxima tensión de drenaje-fuente. Este es un argumento extremo, aplicado a la tensión de funcionamiento FET debe ser inferior a gustativas. (6), PDSM - disipación de potencia máxima. Es un argumento extrema se refiere al desempe?o FET no se deteriora la máxima disipación de potencia de drenaje-fuente permitida. Cuando se utiliza, el FET debe ser menor que el PDSM real el consumo de energía y dejar cierto margen. (7), IDSM - máxima corriente de drenaje-fuente. Es un parámetro límite se refiere a la FET está funcionando normalmente, la corriente de fuente-drenaje a través del máximo permitido. Corriente de funcionamiento FET no debe exceder IDSM. LM258P En primer lugar, la puerta - fuente de voltaje a 0 V cuando se considera (VGS = 0). En este estado, las desagüe - VDS voltaje de la fuente aumenta desde 0 V, y la corriente de drenaje aumenta ID casi en proporción a VDS, esta región se denomina región de no saturación. VDS alcanza un determinado valor o más cambios en el consumo de corriente se hace más peque?o valor de ID, casi constante. En este punto la corriente de drenaje saturación ID llamada (a veces también llamada la corriente de fuga es representado por el correspondiente IDSS y VDS este IDSS llamado VP voltaje de estrangulamiento, esta área se llama la zona saturada, seguido por el desagüe -. Se aplica voltaje de la fuente entre un cierto VDS (por ejemplo, 0,8 V), el valor de VGS comienza a aumentar en la dirección negativa desde 0 Jiangsu IR ID agente desde el valor IDSS comenzó a disminuir lentamente hasta un valor de VGS ID = 0 en este momento se llama la puerta VGS - Fuente bloqueo de tensión entre los polos de tensión o de corte, con VGS (apagado) .n canal JFET muestra la situación es valores de VGS (off) con un signo negativo, que miden JFET real correspondiente ID = 0 de VGS porque es difícil, amplificador Cuando peque?a JFET se?al, llegará ID = VGS 0.1-10μA definición para tecnología VGS (off) la situación mucho más. componentes STP65NF06 Jiangsu IR, Jiangsu IR, 耀坤 proporcionada por Nanjing 耀坤 Ltd. Nanjing 耀坤 Tecnología Ltd. (www.njykkj888.com) fuerte, creíble, en Nanjing, Jiangsu industria diodo ha acumulado un gran número de clientes leales. La mejor compa?ía de actitud hacia el trabajo y mejorar constantemente la innovación de la tecnología y las ideas se llevará la mano en el 耀坤brillante, de un futuro mejor!