IC y llevar lejos de la fuente de tensión de impulso debe establecerse lo más lejos de la ubicación de los circuitos integrados de impulsos de alta tensión, dispositivos de alta frecuencia. Los circuitos integrados y que conectan los hilos conductores asociados tan cortos como sea posible, en la inevitable a largo plazo a unirse al circuito de protección contra sobretensiones, grabadoras especialmente automotrices instaladas deben prestar más atención. Cuando el cableado del circuito CMOS, componentes externos deben conectarse lo más cercano a la estaca, y se esfuerzan por llevar a la República Checa es corto, evitar el uso de cables largos en paralelo, o fácil de introducir un gran distribuida capacitancia e inductancia 74HCT14D, fácil formar un oscilador LC. La solución consiste en capacitar a las personas en la resistencia de entrada 10k lado. Cuando los circuitos CMOS para alta velocidad, prestar atención a la estructura del circuito y el dise?o de PCB. Cable de salida es demasiado largo, con tendencia a fenómeno "anillo". Provocar una distorsión de forma de onda. Debido a pertenecer a la alta velocidad de circuitos integrados digitales ECL, es necesario considerar el "crosstalk" y otros problemas especiales existe en la línea de se?al "reflexión" y entre las líneas de se?al adyacentes, si es necesario el uso de líneas de transmisión (tales como cable coaxial), y para asegurar que la línea de transmisión de adaptación de impedancia. Además, la necesidad de adoptar algunas de blindaje, las medidas de aislamiento. Al operar frecuencia superior 200Mz, debe utilizar la tarjeta de circuitos de múltiples capas para reducir la impedancia de tierra. MC33035DW2G diodo de cristal unión pn formada por 74HCT14D suministrar una capa semiconductora de semiconductor tipo p y de tipo n se forma en ambos lados de la carga espacial en la interfaz, y construyó un campo eléctrico de construcción propia. Cuando no hay tensión aplicada, la unión pn debido a la diferencia de concentración de portadores en ambos lados de la actual corriente de deriva y la difusión causada por el campo eléctrico inducido por igual y en equilibrio eléctrico. Cuando la parte exterior hay una polarización de tensión positiva 74HCT14D fabricantes, campo eléctrico externo y el campo eléctrico del auto mutua restringir la acción del consumidor para hacer la difusión de portadores corriente aumenta provocaron una corriente directa. Cuando la parte exterior hay una polarización de tensión inversa 74HCT14D al por mayor, el campo eléctrico externo y el campo eléctrico se ve reforzada mismo, está formada en una cierta tensión inversa y el rango de tensión de polarización inversa, independientemente del valor de la saturación inversa I0. Cuando la tensión inversa aplicada es alta, hasta cierto punto, unión pn capa de carga espacial en la intensidad de campo eléctrico alcanza un proceso de multiplicación portadora de generación de valor crítico, una gran cantidad de pares electrón-hueco, lo que resulta en una ruptura inversa valor corriente grande , conocida como la ruptura del diodo. unión pn desglose ruptura inversa Zener y ruptura por avalancha de los puntos. 74HCT14D mayor | Jiangsu 74HCT14D | 耀坤 tecnología proporcionada por Nanjing 耀坤 Technology Limited. Nanjing 耀坤 Ltd. (www.njykkj888.com) (http: // www.) Fuerte, creíble, en Nanjing, Jiangsu industria diodo ha acumulado un gran número de clientes leales. La mejor compa?ía de actitud hacia el trabajo y la mejora constante de ideas innovadoras conducirán Yaokun en la brillante tecnología y trabajar por un futuro mejor! También puede acceder (www. / Supply_details_39178135.html), para obtener más información sobre la compa?ía.